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Vishay Semiconductors
Revision: 11-Oct-11
2
Document Number: 94202
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Note
(1)
Pulse width < 300 μs, duty cycle < 2 %
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS VALUES UNITS
Maximum forward voltage drop
See fig. 1
VFM
(1)
15 A
TJ
= 25 °C
30 A 0.58
0.49
V
15 A
TJ
= 125 °C
30 A 0.53
0.40
Maximum reverse leakage current
See fig. 2
IRM (1)
TJ
= 25 °C
VR
= Rated V
R
1.75
mA
TJ
= 125 °C
97
Threshold voltage
VF(TO)
TJ
= T
J
maximum
0.233 V
Forward slope resistance
rt
9.09
m?
Maximum junction capacitance per leg
CT
VR
= 5 V
DC
(test signal range 100 kHz to 1 MHz) 25 °C
1300 pF
Typical series inductance per leg
LS
Measured lead to lead 5 mm from package body 8.0 nH
Maximum voltage rate of change dV/dt
Rated VR
10 000 V/μs
THERMAL - MECHANICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS VALUES UNITS
Maximum junction and storage
temperature range
TJ, TStg
- 55 to 150 °C
Maximum thermal resistance,
junction to case per leg
RthJC
DC operation
See fig. 4
3.25
°C/W
Typical thermal resistance,
case to heatsink
RthCS
Mounting surface, smooth and greased 0.50
Approximate weight
2g
0.07 oz.
Mounting torque
minimum
6 (5)
kgf · cm
(lbf · in)
maximum
12 (10)
Marking device Case style TO-220AB
32CTQ025
32CTQ030
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32CTQ025S
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